همه محصولات
-
آقای پاتریکپاسخ سریع و درک کامل نیازهای مشتری، نگرش خدمات خوب، ما با خدمات شما موافقیم. -
آقای هریسوننگرش خدمات جدی و همچنین محصولات با کیفیت بالا سزاوار اعتماد همه است.
-
آنااین یک خرید عالی است. توانایی شرکت شما برای ارائه قیمت های رقابتی و محصولات با کیفیت بسیار چشمگیر است.
تماس با شخص :
will
شماره تلفن :
13418952874
FCD1300N80Z Fet N کانال ماسفت مدار 800V 4A Tc 52W Tc سطح پایه TO-252AA
| محل منبع | ایالات متحده |
|---|---|
| نام تجاری | onsemi |
| گواهی | RoHS |
| شماره مدل | FCD1300N80Z |
| مقدار حداقل تعداد سفارش | 2500 عدد |
| قیمت | Negotiable |
| جزئیات بسته بندی | 2500 PCS / نوار |
| زمان تحویل | 2-3 روز |
| شرایط پرداخت | L/C، D/A، D/P، T/T |
| قابلیت ارائه | 12.5 هزار PCS |
Contact me for free samples and coupons.
Whatsapp:0086 18588475571
Wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
If you have any concern, we provide 24-hour online help.
xجزئیات محصول
| سازنده | onsemi | دسته بندی | تک FET، ماسفت |
|---|---|---|---|
| شماره محصول | FCD1300N80Z | سلسله | SuperFET® II |
| وضعیت محصول | نه برای طرح های جدید | فن آوری | ماسفت (اکسید فلز) |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 800 V | جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد | 4A (Tc) |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10 ولت | Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 1.3 اهم @ 2A، 10V |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 4.5 ولت @ 400 µA | شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Vgs (حداکثر) | ± 20 ولت | ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 880 pF @ 100 V |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 52 وات (Tc) | دمای عملیاتی | -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ) |
| نوع نصب | نصب سطحی | بسته / مورد | TO-252-3، DPak (2 Lead + Tab)، SC-63 |
| بسته دستگاه تامین کننده | TO-252AA | ||
| برجسته | مدار n کانال ماسفت,n مدار فیت سوئیچ,FCD1300N80Z |
||
توضیحات محصول
FCD1300N80Z اتصال سطحی N-Channel 800 V 4A (Tc) 52W (Tc) TO-252AA
دیتاشیت:FCD1300N80Z
| دسته بندی | تک FET، ماسفت |
| Mfr | onsemi |
| سلسله | SuperFET II |
| وضعیت محصول | نه برای طرح های جدید |
| نوع FET | کانال N |
| فن آوری | ماسفت (اکسید فلز) |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 800 V |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25درجه سانتی گراد | 4A (Tc) |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10 ولت |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 1.3 اهم @ 2A، 10V |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 4.5 ولت @400μA |
| شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Vgs (حداکثر) | ± 20 ولت |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 880 pF @ 100 V |
| ویژگی FET | - |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 52 وات (Tc) |
| دمای عملیاتی | -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ) |
| نوع نصب | نصب سطحی |
| بسته دستگاه تامین کننده | TO-252AA |
| بسته / مورد | TO-252-3، DPak (2 Lead + Tab)، SC-63 |
| شماره محصول پایه | FCD1300 |
منابع اضافی
| صفت | شرح |
| نامهای دیگر | FCD1300N80ZCT |
| ONSONSFCD1300N80Z | |
| FCD1300N80ZDKR | |
| FCD1300N80ZTR | |
| 2156-FCD1300N80Z-OS | |
| بسته استاندارد | 2500 |
تصویر داده ها:https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fcd1300n80z-d.pdf
محصولات توصیه شده