همه محصولات
-
آقای پاتریکپاسخ سریع و درک کامل نیازهای مشتری، نگرش خدمات خوب، ما با خدمات شما موافقیم. -
آقای هریسوننگرش خدمات جدی و همچنین محصولات با کیفیت بالا سزاوار اعتماد همه است.
-
آنااین یک خرید عالی است. توانایی شرکت شما برای ارائه قیمت های رقابتی و محصولات با کیفیت بسیار چشمگیر است.
تماس با شخص :
will
شماره تلفن :
13418952874
IPP65R110CFDA توان بالای N کانال Mosfet Logic Level N 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3
| محل منبع | ایالات متحده |
|---|---|
| نام تجاری | Infineon Technologies |
| گواهی | RoHS |
| شماره مدل | IPP65R110CFDA |
| مقدار حداقل تعداد سفارش | 50 عدد |
| قیمت | Negotiable |
| جزئیات بسته بندی | 50 PCS / لوله |
| زمان تحویل | 2-3 روز |
| شرایط پرداخت | L/C، D/A، D/P، T/T |
| قابلیت ارائه | 6K PCS |
Contact me for free samples and coupons.
Whatsapp:0086 18588475571
Wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
If you have any concern, we provide 24-hour online help.
xجزئیات محصول
| دسته بندی | تک FET، ماسفت | Mfr | فن آوری های Infineon |
|---|---|---|---|
| سلسله | خودرو، AEC-Q101، CoolMOS™ | وضعیت محصول | فعال |
| نوع FET | کانال N | فن آوری | ماسفت (اکسید فلز) |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 650 ولت | جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد | 31.2A (Tc) |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10 ولت | Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 110 میلی اهم @ 12.7 آمپر، 10 ولت |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 4.5 ولت @ 1.3 میلی آمپر | شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Vgs (حداکثر) | ± 20 ولت | ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 3240 pF @ 100 V |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 277.8 وات (Tc) | دمای عملیاتی | -40 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ) |
| نوع نصب | از طریق سوراخ | بسته دستگاه تامین کننده | PG-TO220-3 |
| برجسته | IPP65R110CFDA,ماسفت n کانال با توان بالا,ماسفت n کانال سطح منطقی |
||
توضیحات محصول
IPP65R110CFDA N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
امکانات:IPP65R110CFDA
| دسته بندی | تک FET، ماسفت |
| Mfr | فن آوری های Infineon |
| سلسله | خودرو، AEC-Q101، CoolMOS |
| وضعیت محصول | فعال |
| نوع FET | کانال N |
| فن آوری | ماسفت (اکسید فلز) |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 650 V |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25ﾂｰC | 31.2A (Tc) |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10 ولت |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 110 میلی اهم @ 12.7 آمپر، 10 ولت |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 4.5 ولت @ 1.3 میلی آمپر |
| شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Vgs (حداکثر) | ± 20 ولت |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 3240 pF @ 100 V |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 277.8 وات (Tc) |
| دمای عملیاتی | -40درجه سانتی گراد~ 150درجه سانتی گراد(TJ) |
| نوع نصب | از طریق سوراخ |
| بسته دستگاه تامین کننده | PG-TO220-3 |
| بسته / مورد | TO-220-3 |
| شماره محصول پایه | IPP65R110 |
منابع اضافی
| صفت | شرح |
| نامهای دیگر | IPP65R110CFDAAKSA1-ND |
| 448-IPP65R110CFDAAKSA1 | |
| SP000895234 | |
| بسته استاندارد | 50 |
تصویر داده ها:https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5
|
±
|
محصولات توصیه شده